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介紹一下水溶性 CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)的表面修飾方法

2024-08-20 [104]

水溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)

PL 620 nm--820 nm

中文名:水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)

英文名:water-soluble CdTe/CdSe/ZnS quantum dot

波長:620 nm--820 nm

類型:近紅外量子點(diǎn)

介紹一下水溶性 CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)的表面修飾方法

水溶性CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)描述:

水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdSeZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核//殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,尤其指出的是此產(chǎn)品在近紅外波段仍然具有40%以上的量子產(chǎn)率,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,

我們可以為客戶訂制生產(chǎn)620nm820nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。

水溶性 CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)的常見表面修飾方法包括以下幾種:


  1. 配體交換法:使用親水性配體取代量子點(diǎn)表面的憎水性配體,從而使其具有水溶性。例如,利用聚馬來酸酐(PMA)作為交換配體,PMA 可以取代 CdSe/ZnS 表面的憎水性配體油酸(OA),使量子點(diǎn)能夠轉(zhuǎn)移至水相中。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是轉(zhuǎn)移后的量子點(diǎn)粒徑小。

  2. 基于二氧化硅的包覆法:利用二氧化硅前驅(qū)體在量子點(diǎn)表面發(fā)生水解進(jìn)行包覆。例如,可采用反相微乳液法在油溶性 CdSe/ZnS 量子點(diǎn)表面包覆二氧化硅(SiO?)殼層,然后用十八烷基三甲氧基硅烷(OTMS)和聚馬來酸十六醇酯(PMah)或 3 - 氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMS)等對(duì)其進(jìn)行表面修飾,分別制備含有羧基或氨基的水溶性熒光量子點(diǎn)。

  3. 基于兩親性聚合物的方法:兩親性聚合物的憎水端與量子點(diǎn)表面的有機(jī)配體之間通過范德華力相互作用,而其親水端可使量子點(diǎn)很好地溶于水中。


這些表面修飾方法各有優(yōu)缺點(diǎn),配體交換法得到的量子點(diǎn)粒徑較小,而二氧化硅和兩親性聚合物修飾后的量子點(diǎn)具有較好的穩(wěn)定性。


此外,還可以用其他物質(zhì)對(duì)水溶性 CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)進(jìn)行修飾,以滿足不同的需求。例如,通過氨基化聚乙二醇(PEG-NH?)修飾,可得到表面為羧基或者氨基的水溶性量子點(diǎn),其具有量子產(chǎn)率高、粒徑均一、吸收光譜寬泛、發(fā)射光譜窄而對(duì)稱、熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。量子點(diǎn)表面修飾的目的主要包括:在量子點(diǎn)表面形成保護(hù)層,增強(qiáng)其光穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性;使其具有水溶性,且保證在相轉(zhuǎn)移過程中熒光性質(zhì)和穩(wěn)定性不受影響;提高生物相容性;減小非特異性吸附等。

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